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AUIRFS3206TRL | |
|---|---|
Codice DigiKey | AUIRFS3206TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AUIRFS3206TRL |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 150µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 170 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6540 pF @ 50 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore del fornitore D2PAK |
RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 75A, 10V | Contenitore/involucro |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | 1’000 | 448-IPB120N06S403ATMA2CT-ND | Fr. 2.93000 | Consigliato dal produttore |
| IPB029N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 4’673 | IPB029N06N3GATMA1CT-ND | Fr. 2.41000 | Simile |
| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 3’727 | IPB037N06N3GATMA1CT-ND | Fr. 2.19000 | Simile |
| IPB120N06S402ATMA2 | Infineon Technologies | 987 | 448-IPB120N06S402ATMA2CT-ND | Fr. 3.35000 | Simile |
| AOB266L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1328-2-ND | Fr. 0.98189 | Simile |





