Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 18.13918 CHF
Availability: InStock

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IMBG65R010M2HXTMA1
Codice DigiKey	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMBG65R010M2HXTMA1
Descrizione	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMBG65R010M2HXTMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	158 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs	9,1mohm a 92,1A, 20V
Vgs(th) max a Id	5,6V a 18,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	112 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4001 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	535W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-7-12
Contenitore/involucro	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 16.78000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 18.13918

IMBG65R010M2HXTMA1