
IMTA65R050M2HXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMTA65R050M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMTA65R050M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMTA65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMTA65R050M2HXTMA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 43 A (Tc) 197W (Tc) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMTA65R050M2HXTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 46mohm a 18,2A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 3,7mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 790 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 197W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | - | |
Contenitore del fornitore | - | |
Contenitore/involucro | - |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 5.27000 | Fr. 5.27 |
10 | Fr. 3.82800 | Fr. 38.28 |
100 | Fr. 3.50470 | Fr. 350.47 |
500 | Fr. 3.19540 | Fr. 1’597.70 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’000 | Fr. 2.73587 | Fr. 5’471.74 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.27000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 5.69687 |