IMTA65R050M2HXTMA1
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IMTA65R050M2HXTMA1

Codice DigiKey
448-IMTA65R050M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IMTA65R050M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IMTA65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IMTA65R050M2HXTMA1
Descrizione
SILICON CARBIDE MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 43 A (Tc) 197W (Tc)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMTA65R050M2HXTMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs
46mohm a 18,2A, 20V
Vgs(th) max a Id
5,6V a 3,7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
790 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
197W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
-
Contenitore del fornitore
-
Contenitore/involucro
-
Product Questions and Answers

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In magazzino: 2’054
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 5.27000Fr. 5.27
10Fr. 3.82800Fr. 38.28
100Fr. 3.50470Fr. 350.47
500Fr. 3.19540Fr. 1’597.70
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 2.73587Fr. 5’471.74
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 5.27000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 5.69687