Name: IMW120R030M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R030M1HXKSA1-ND
Price: 14.38811 CHF
Availability: InStock

Canale N 1200 V 56 A (Tc) 227W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41

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IMW120R030M1HXKSA1
Codice DigiKey	448-IMW120R030M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMW120R030M1HXKSA1
Descrizione	SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 56 A (Tc) 227W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMW120R030M1HXKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,7V a 10mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max) +23V, -7V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2120 pF @ 800 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-41
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 56 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Codice componente base IMW120
RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 25A, 18V

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 13.31000	Fr. 13.31
30	Fr. 8.20167	Fr. 246.05
120	Fr. 7.08250	Fr. 849.90
510	Fr. 6.59424	Fr. 3’363.06

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