Name: IMW120R007M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R007M1HXKSA1-ND
Price: 42.8076 CHF
Availability: InStock

Canale N 1200 V 225 A (Tc) 750W (Tc) Foro passante PG-TO247-3

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IMW120R007M1HXKSA1
Codice DigiKey	448-IMW120R007M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IMW120R007M1HXKSA1
Descrizione	SIC DISCRETE
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 225 A (Tc) 750W (Tc) Foro passante PG-TO247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IMW120R007M1HXKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 9,9mohm a 108A, 18V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 5,2V a 47mA
Serie CoolSiC™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 289 nC @ 18 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) +20V, -5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9170 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 750W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 225 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore/involucro TO-247-3

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 39.60000	Fr. 39.60
30	Fr. 26.84467	Fr. 805.34
120	Fr. 26.08350	Fr. 3’130.02

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