PG-TO247-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
PG-TO247-3
PG-TO247-3

IMW120R040M1HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IMW120R040M1HXKSA1
Descrizione
SIC DISCRETE
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 55 A (Tc) 227W (Tc) Foro passante PG-TO247-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMW120R040M1HXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
55 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
54,4mohm a 19,3A, 18V
Vgs(th) max a Id
5,2V a 10mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
51 nC @ 18 V
Vgs (max)
+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1620 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
227W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
PG-TO247-3
Contenitore/involucro
TO-247-3
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 240
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 9.75000Fr. 9.75
30Fr. 5.88467Fr. 176.54
120Fr. 5.03642Fr. 604.37
510Fr. 4.96410Fr. 2’531.69
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 9.75000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 10.53975