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IMW65R040M2HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMW65R040M2HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMW65R040M2HXKSA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 61 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 46 A (Tc) 172W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-40 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5,6V a 4,6mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -7V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 997 pF @ 400 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 172W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-40 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 20V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 36mohm a 22,9A, 20V |
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In magazzino: 516
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.64000 | Fr. 8.64 |
| 30 | Fr. 5.06133 | Fr. 151.84 |
| 120 | Fr. 4.27508 | Fr. 513.01 |
| 510 | Fr. 3.69912 | Fr. 1’886.55 |
| 1’020 | Fr. 3.48907 | Fr. 3’558.85 |
| 2’010 | Fr. 3.31608 | Fr. 6’665.32 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 8.64000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 9.33984 |
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