
IMW65R048M1HXKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMW65R048M1HXKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IMW65R048M1HXKSA1 |
Descrizione | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMW65R048M1HXKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,7V a 6mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 33 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (max) +23V, -5V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1118 pF @ 400 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-41 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 64mohm a 20,1A, 18V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC035SMA070B | Microchip Technology | 235 | MSC035SMA070B-ND | Fr. 8.21000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 9.11000 | Fr. 9.11 |
| 30 | Fr. 5.36367 | Fr. 160.91 |
| 120 | Fr. 4.53983 | Fr. 544.78 |
| 510 | Fr. 3.93631 | Fr. 2’007.52 |
| 1’020 | Fr. 3.71624 | Fr. 3’790.56 |
| 2’010 | Fr. 3.53499 | Fr. 7’105.33 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 9.11000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 9.84791 |









