Canale N 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41
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IMW65R048M1HXKSA1

Codice DigiKey
448-IMW65R048M1HXKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IMW65R048M1HXKSA1
Descrizione
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IMW65R048M1HXKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5,7V a 6mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
33 nC @ 18 V
Serie
Vgs (max)
+23V, -5V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1118 pF @ 400 V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-TO247-3-41
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
64mohm a 20,1A, 18V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MSC035SMA070BMicrochip Technology240MSC035SMA070B-NDFr. 8.21000Simile
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Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 7.81000Fr. 7.81
30Fr. 4.59133Fr. 137.74
120Fr. 3.88608Fr. 466.33
510Fr. 3.36949Fr. 1’718.44
1’020Fr. 3.28728Fr. 3’353.03
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 7.81000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 8.44261