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IPB083N10N3GATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPB083N10N3GATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB083N10N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB083N10N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB083N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB083N10N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB083N10N3GATMA1 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 75µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 55 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3980 pF @ 50 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,3mohm a 73A, 10V |
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Sostituti (16)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | 38 | 448-IPB050N10NF2SATMA1CT-ND | Fr. 1.82000 | Consigliato dal produttore |
| IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | 1’825 | IRF8010STRLPBFCT-ND | Fr. 2.72000 | Simile |
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | 2’423 | IRFS4410ZTRLPBFCT-ND | Fr. 2.34000 | Simile |
| BUK768R1-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 5’764 | 1727-1062-1-ND | Fr. 3.10000 | Simile |
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1064-2-ND | Fr. 1.01503 | Simile |
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