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IXTA130N10T-TRL | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXTA130N10T-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IXTA130N10T-TRL |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 130A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 104 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5080 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore TO-263AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 9,1mohm a 25A, 10V |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA130N10T | IXYS | 353 | 238-IXTA130N10T-ND | Fr. 4.68000 | Equivalente parametrico |
| DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | 680 | 31-DMTH10H010LCTB-13CT-ND | Fr. 1.96000 | Simile |
| IPB083N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB083N10N3GATMA1CT-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | 0 | IRFS4410TRLPBFCT-ND | Fr. 3.69000 | Simile |
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | 2’423 | IRFS4410ZTRLPBFCT-ND | Fr. 2.34000 | Simile |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 2.27744 | Fr. 1’821.95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.27744 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.46191 |
