Name: IPB50N10S3L16ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND
Price: 2.71331 CHF
Availability: OutOfStock

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IPB50N10S3L16ATMA1
Codice DigiKey	IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB50N10S3L16ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB50N10S3L16ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore	9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 50 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	15,4mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 60µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4180 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB50N10

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 0.82227	Fr. 822.27
2’000	Fr. 0.77970	Fr. 1’559.40

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.51000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.71331

IPB50N10S3L16ATMA1