Name: IPB60R190C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R190C6ATMA1TR-ND
Price: 3.90241 CHF
Availability: InStock

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IPB60R190C6ATMA1
Codice DigiKey	IPB60R190C6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB60R190C6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB60R190C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB60R190C6ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB60R190C6ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 630µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 63 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C6	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20,2 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB60R190
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 9,5A, 10V

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Sostituti (12)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STB28N60M2	STMicroelectronics	1’905	497-14972-1-ND	Fr. 2.18000	Diretto
AOB25S65L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	800	785-1539-1-ND	Fr. 4.40000	Simile
FCB20N60FTM	onsemi	1’795	FCB20N60FTMCT-ND	Fr. 5.47000	Simile
SIHB18N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB18N60E-GE3-ND	Fr. 1.42040	Simile
SIHB22N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB22N60E-GE3-ND	Fr. 3.93000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)