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IPB65R099C6ATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB65R099C6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB65R099C6ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 1,2mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 127 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2780 pF @ 100 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 12,8A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60ET5-GE3-ND | Fr. 2.14225 | Simile |
| STB30N65M5 | STMicroelectronics | 1’043 | 497-10563-1-ND | Fr. 5.81000 | Simile |
| STB34N65M5 | STMicroelectronics | 350 | 497-13085-1-ND | Fr. 5.50000 | Simile |
| STB35N65M5 | STMicroelectronics | 0 | 497-10565-1-ND | Fr. 6.32000 | Simile |
| STB38N65M5 | STMicroelectronics | 769 | 497-13086-1-ND | Fr. 5.80000 | Simile |




