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Canale N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R099C6ATMA1

Codice DigiKey
IPB65R099C6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPB65R099C6ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
3,5V a 1,2mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
127 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2780 pF @ 100 V
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Dissipazione di potenza (max)
278W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
99mohm a 12,8A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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