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IPB65R190CFDATMA1 è obsoleto e non è più in produzione.
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IPB65R190CFDATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPB65R190CFDATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPB65R190CFDATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB65R190CFDATMA1 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 730µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 68 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1850 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 151W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO263-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 7,3 A, 10V |
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Sostituti (11)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R190CFDATMA2 | Infineon Technologies | 603 | 448-IPB65R190CFDATMA2CT-ND | Fr. 3.05000 | Consigliato dal produttore |
| AOB25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 800 | 785-1539-1-ND | Fr. 4.40000 | Simile |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | Fr. 4.02000 | Simile |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4’207 | 238-IXFA22N65X2-ND | Fr. 5.48000 | Simile |
| SIHB21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 30 | SIHB21N60EF-GE3-ND | Fr. 4.25000 | Simile |
Obsoleto
