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IPB80N06S2L07ATMA3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPB80N06S2L07ATMA3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB80N06S2L07ATMA3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB80N06S2L07ATMA3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB80N06S2L07ATMA3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 80 A (Tc) 210W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB80N06S2L07ATMA3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 55 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,7mohm a 60A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 150µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 130 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3160 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 210W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.36000 | Fr. 2.36 |
| 10 | Fr. 1.37100 | Fr. 13.71 |
| 100 | Fr. 1.24850 | Fr. 124.85 |
| 500 | Fr. 1.11702 | Fr. 558.51 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.94114 | Fr. 941.14 |
| 2’000 | Fr. 0.91260 | Fr. 1’825.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.36000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.55116 |
Svizzera