IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRFR3504ZTRPBF
Codice DigiKey	IRFR3504ZPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFR3504ZPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFR3504ZPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFR3504ZTRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 42 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFR3504ZTRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1510 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 42 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFR3504
RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 42A, 10V

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Sostituti (7)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRF40R207	Infineon Technologies	7’923	IRF40R207CT-ND	Fr. 1.03000	Consigliato dal produttore
IPD50N03S2L06ATMA1	Infineon Technologies	4’397	IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND	Fr. 1.85000	Simile
DMNH4011SK3Q-13	Diodes Incorporated	0	DMNH4011SK3Q-13DITR-ND	Fr. 0.42324	Simile
STD64N4F6AG	STMicroelectronics	704	497-16304-1-ND	Fr. 1.22000	Simile
STD65N55F3	STMicroelectronics	0	497-7973-1-ND	Fr. 2.45000	Simile

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