Name: IPD60R280P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R280P7SAUMA1TR-ND
Price: 1.42692 CHF
Availability: OutOfStock

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IPD60R280P7SAUMA1
Codice DigiKey	IPD60R280P7SAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD60R280P7SAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPD60R280P7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD60R280P7SAUMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 12 A (Tc) 53W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD60R280P7SAUMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 190µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 761 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 53W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPD60R
RDSon (max) a Id, Vgs 280mohm a 3,8A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
R6013VND3TL1	Rohm Semiconductor	2’145	846-R6013VND3TL1CT-ND	Fr. 2.05000	Simile
TK290P65Y,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	0	TK290P65YRQCT-ND	Fr. 2.63000	Simile

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