
IPN50R2K0CEATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPN50R2K0CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN50R2K0CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN50R2K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPN50R2K0CEATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223 |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 3,6 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPN50R2K0CEATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 500 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 13V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2ohm a 600mA, 13V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 50µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 124 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.54000 | Fr. 0.54 |
| 10 | Fr. 0.33800 | Fr. 3.38 |
| 100 | Fr. 0.21660 | Fr. 21.66 |
| 500 | Fr. 0.16438 | Fr. 82.19 |
| 1’000 | Fr. 0.14754 | Fr. 147.54 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.12234 | Fr. 367.02 |
| 6’000 | Fr. 0.11187 | Fr. 671.22 |
| 9’000 | Fr. 0.10654 | Fr. 958.86 |
| 15’000 | Fr. 0.10054 | Fr. 1’508.10 |
| 21’000 | Fr. 0.09699 | Fr. 2’036.79 |
| 30’000 | Fr. 0.09390 | Fr. 2’817.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.54000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.58374 |
















