Name: IQE004NE1LM7CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND
Price: 2.21605 CHF
Availability: InStock

Serve aiuto?

Commenti

DigiKey Marketplace Vendi su DigiKey.com Lavora con noi Mappa del sito Soluzioni digitali Redazione

Assistenza Stato ordine Tariffe di spedizione/Opzioni Resi e problemi con l'ordine Informazioni legali

Chat (+41) 33 54 78 015 eu.support@digikey.com Co-navigazione

IQE004NE1LM7CGATMA1
Codice DigiKey	448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE004NE1LM7CGATMA1
Descrizione	TRENCH <= 40V
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 15 V 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE004NE1LM7CGATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	15 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	58A (Ta), 379A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4.5V, 7V
RDSon (max) a Id, Vgs	0.45mOhm @ 30A, 7V
Vgs(th) max a Id	2V @ 432µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	55 nC @ 7 V
Vgs (max)	±7V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6240 pF @ 7.5 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TTFN-9-3
Contenitore/involucro	9-PowerTDFN

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.05000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.21605

IQE004NE1LM7CGATMA1