Name: ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND
Price: 4.37805 CHF
Availability: InStock

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ISG0614N06NM5HATMA1
Codice DigiKey	448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISG0614N06NM5HATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISG0614N06NM5HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISG0614N06NM5HATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-VITFN-10-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISG0614N06NM5HATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 1,6mohm a 50A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 3,3V a 86µA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 102nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6400pF a 30V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 3W (Ta), 167W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (semiponte)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore/involucro 10-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31A (Ta), 233A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-VITFN-10-1