
ISG0614N06NM5HATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISG0614N06NM5HATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISG0614N06NM5HATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | ISG0614N06NM5HATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-VITFN-10-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | ISG0614N06NM5HATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 31A (Ta), 233A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,6mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,3V a 86µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 102nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6400pF a 30V | |
Potenza - Max | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 10-PowerVDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-VITFN-10-1 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.93000 | Fr. 3.93 |
| 10 | Fr. 2.60500 | Fr. 26.05 |
| 100 | Fr. 1.85370 | Fr. 185.37 |
| 500 | Fr. 1.74884 | Fr. 874.42 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 1.42880 | Fr. 4’286.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.93000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.24833 |








