ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

ISS17EP06LMXTSA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : Fr. 0.26000

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ISS17EP06LMXTSA1
Codice DigiKey	448-ISS17EP06LMXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISS17EP06LMXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISS17EP06LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISS17EP06LMXTSA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 300mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISS17EP06LMXTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 34µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.79 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 55 pF @ 30 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-SOT23
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300mA (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base ISS17EP06
RDSon (max) a Id, Vgs 1,7ohm a 300mA, 10V