1N5811USE3/TR
Codice DigiKey	150-1N5811USE3/TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	1N5811USE3/TR
Descrizione	DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Tempi di consegna standard del produttore	34 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 150 V 3A A montaggio superficiale B, SQ-MELF
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tensione - Diretta (Vf) max a If 875 mV @ 4 A
Produttore Microchip Technology	Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Tempo di recupero inverso (Trr) 30 ns
Stato componente Attivo	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia Standard	Contenitore/involucro SQ-MELF, B
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 150 V	Contenitore del fornitore B, SQ-MELF
Corrente - Media rettificata (Io) 3A	Temp. di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C

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Sostituti (24)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
1N5811AUS/TR	Microchip Technology	0	150-1N5811AUS/TR-ND	Fr. 8.87750	Equivalente parametrico
1N5811URS	Microchip Technology	0	150-1N5811URS-ND	Fr. 27.32830	Equivalente parametrico
1N5811URS/TR	Microchip Technology	0	150-1N5811URS/TRCT-ND	Fr. 24.95000	Equivalente parametrico
1N5811US	Microchip Technology	1’856	1N5811US-ND	Fr. 5.37000	Equivalente parametrico
1N5811US/TR	Microchip Technology	395	150-1N5811US/TRCT-ND	Fr. 6.02000	Equivalente parametrico

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
123	Fr. 6.21423	Fr. 764.35

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.21423
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.71758

1N5811USE3/TR

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