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Prezzo unitario : Fr. 8.87750
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Prezzo unitario : Fr. 14.09600
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Prezzo unitario : Fr. 19.59040
Scheda tecnica
Diodi 150 V 3A A montaggio superficiale B, SQ-MELF
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JANS1N5811URS/TR

Codice DigiKey
150-JANS1N5811URS/TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
JANS1N5811URS/TR
Descrizione
DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 150 V 3A A montaggio superficiale B, SQ-MELF
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Tempo di recupero inverso (Trr)
30 ns
Produttore
Corrente - Dispersione inversa a Vr
5 µA @ 150 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità a Vr, F
60pF a 10V, 1MHz
Stato componente
Attivo
Grado
Militare
Tecnologia
Qualifica
MIL-PRF-19500/477
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
150 V
Tipo di montaggio
Corrente - Media rettificata (Io)
3A
Contenitore/involucro
Tensione - Diretta (Vf) max a If
875 mV @ 4 A
Contenitore del fornitore
B, SQ-MELF
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-65°C ~ 175°C
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (24)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
1N5811AUS/TRMicrochip Technology0150-1N5811AUS/TR-NDFr. 8.87750Equivalente parametrico
1N5811URSMicrochip Technology0150-1N5811URS-NDFr. 27.32830Equivalente parametrico
1N5811URS/TRMicrochip Technology0150-1N5811URS/TRCT-NDFr. 24.95000Equivalente parametrico
1N5811USMicrochip Technology1’8561N5811US-NDFr. 5.37000Equivalente parametrico
1N5811US/TRMicrochip Technology395150-1N5811US/TRCT-NDFr. 6.02000Equivalente parametrico
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
50Fr. 118.07060Fr. 5’903.53
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 118.07060
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 127.63432