JAN1N5811US/TR
Codice DigiKey	150-JAN1N5811US/TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	JAN1N5811US/TR
Descrizione	DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Tempi di consegna standard del produttore	34 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 150 V 3A A montaggio superficiale B, SQ-MELF
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tempo di recupero inverso (Trr) 30 ns
Produttore Microchip Technology	Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 150 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità a Vr, F 60pF a 10V, 1MHz
Stato componente Attivo	Grado Militare
Tecnologia Standard	Qualifica MIL-PRF-19500/477
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 150 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Media rettificata (Io) 3A	Contenitore/involucro SQ-MELF, B
Tensione - Diretta (Vf) max a If 875 mV @ 4 A	Contenitore del fornitore B, SQ-MELF
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)	Temp. di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C

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Sostituti (24)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
1N5811AUS/TR	Microchip Technology	0	150-1N5811AUS/TR-ND	Fr. 8.87750	Equivalente parametrico
1N5811URS	Microchip Technology	0	150-1N5811URS-ND	Fr. 27.32830	Equivalente parametrico
1N5811URS/TR	Microchip Technology	0	150-1N5811URS/TRCT-ND	Fr. 24.95000	Equivalente parametrico
1N5811US	Microchip Technology	1’856	1N5811US-ND	Fr. 5.37000	Equivalente parametrico
1N5811US/TR	Microchip Technology	395	150-1N5811US/TRCT-ND	Fr. 6.02000	Equivalente parametrico

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
100	Fr. 6.76610	Fr. 676.61

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.76610
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.31415

JAN1N5811US/TR

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