SIZ254DT-T1-GE3
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SIZ254DT-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SIZ254DT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIZ254DT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SIZ254DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIZ254DT-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 70V 11,7A (Ta), 32,5A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) A montaggio superficiale 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIZ254DT-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET® Gen IV
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
70V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11,7A (Ta), 32,5A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
16,1mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
795pF a 35V, 765pF a 35V
Potenza - Max
4,3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Contenitore del fornitore
8-PowerPair® (3,3x3,3)
Codice componente base
SIZ254
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In magazzino: 5’778
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.40000Fr. 1.40
10Fr. 0.88600Fr. 8.86
100Fr. 0.59450Fr. 59.45
500Fr. 0.46926Fr. 234.63
1’000Fr. 0.42897Fr. 428.97
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.37782Fr. 1’133.46
6’000Fr. 0.35209Fr. 2’112.54
9’000Fr. 0.34800Fr. 3’132.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.40000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.51340
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