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FCP190N60-GF102 è obsoleto e non è più in produzione.
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FCP190N60-GF102 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FCP190N60-GF102-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FCP190N60-GF102 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20,2 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante TO-220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FCP190N60-GF102 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 74 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2950 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 199mohm a 10A, 10V |
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Sostituti (12)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTP185N60S5H | onsemi | 760 | 488-NTP185N60S5H-ND | Fr. 3.39000 | Consigliato dal produttore |
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 8’408 | IPP60R180P7XKSA1-ND | Fr. 2.43000 | Simile |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | Fr. 4.11000 | Simile |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | Fr. 1.61834 | Simile |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 861 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | Fr. 4.14000 | Simile |
Obsoleto
