FDV302P onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDV302P è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Diretto

onsemi

In magazzino: 86’793

Prezzo unitario : Fr. 0.30000

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Prezzo unitario : Fr. 0.78000

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FDV302P
Codice DigiKey	FDV302PTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDV302P
Descrizione	MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 25 V 120mA (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDV302P Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,7V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	10ohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.31 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	-8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	11 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	FDV30