NTD4302T4G onsemi | FET, MOSFET singoli

NTD4302T4G è obsoleto e non è più in produzione.

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NTD4302T4G
Codice DigiKey	NTD4302T4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTD4302T4G
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 8,4 A (Ta), 68 A (Tc) 1,04W (Ta), 75W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2400 pF @ 24 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,04W (Ta), 75W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,4 A (Ta), 68 A (Tc)	Contenitore del fornitore DPAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 20A, 10V	Codice componente base NTD4302

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDD8876	onsemi	103	FDD8876CT-ND	Fr. 1.56000	Simile
DMN3010LK3-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN3010LK3-13CT-ND	Fr. 0.90000	Simile
IPD50N03S2L06ATMA1	Infineon Technologies	4’397	IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND	Fr. 1.85000	Simile
STD70NS04ZL	STMicroelectronics	0	497-10411-2-ND	Fr. 0.51849	Simile

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Non annullabile/Non restituibile

NTD4302T4G