
TP65H050G4YS | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1707-TP65H050G4YS-ND |
Produttore | |
Codice produttore | TP65H050G4YS |
Descrizione | 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 35 A (Tc) 132W (Tc) Foro passante TO-247-4L |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 22A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 4,8V a 700µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1000 pF @ 400 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 132W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247-4L |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.14000 | Fr. 8.14 |
| 30 | Fr. 4.80800 | Fr. 144.24 |
| 120 | Fr. 4.07600 | Fr. 489.12 |
| 510 | Fr. 3.53988 | Fr. 1’805.34 |
| 1’020 | Fr. 3.47628 | Fr. 3’545.81 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 8.14000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 8.79934 |






