8 VDFN
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TP65H100G4LSGB-TR

Codice DigiKey
1707-TP65H100G4LSGB-TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
1707-TP65H100G4LSGB-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1707-TP65H100G4LSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
TP65H100G4LSGB-TR
Descrizione
Hi Volt FETs
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 18,9A (Tc) 65,8W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (8x8)
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
110mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,1V a 1,8mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
818 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
65,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-PQFN (8x8)
Contenitore/involucro
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Tutti i prezzi sono in USD
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000$ 2.87500$ 8’625.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:$ 2.87500
Prezzo unitario IVA inclusa:$ 3.10788