Name: R6006ANDTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6006ANDTLTR-ND
Price: 0.88365 CHF
Availability: OutOfStock

R6006ANDTL
Codice DigiKey	846-R6006ANDTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	R6006ANDTL
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 6 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale CPT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	R6006ANDTL Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2ohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	460 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	40W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	CPT3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	R6006

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.81744
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.88365

R6006ANDTL