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R6006ANDTL | |
|---|---|
Codice DigiKey | 846-R6006ANDTLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | R6006ANDTL |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 6A CPT |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 6 A (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale CPT3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6006ANDTL Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Data di acquisto finale | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 460 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore CPT3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 3A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (13)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6007END3TL1 | Rohm Semiconductor | 1’011 | 846-R6007END3TL1CT-ND | Fr. 2.40000 | Consigliato dal produttore |
| IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3’984 | IPD60R950C6ATMA1CT-ND | Fr. 1.48000 | Simile |
| STD7NM60N | STMicroelectronics | 10’966 | 497-11042-1-ND | Fr. 2.42000 | Simile |
| STD9N80K5 | STMicroelectronics | 0 | STD9N80K5-ND | Fr. 0.82429 | Simile |
| TK5P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 2’000 | TK5P60WRVQTR-ND | Fr. 0.79380 | Simile |
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2027
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.81016 | Fr. 2’025.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.81016 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.87578 |
