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STD9N80K5 | |
|---|---|
Codice DigiKey | STD9N80K5-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STD9N80K5 |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 7 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STD9N80K5 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 100µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 340 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 900mohm a 3,5A, 10V |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCD4N60TM | onsemi | 3’396 | FCD4N60TMCT-ND | Fr. 2.03000 | Simile |
| IPD65R950CFDATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD65R950CFDATMA1-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| R6006ANDTL | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6006ANDTLTR-ND | Fr. 0.81016 | Simile |
| R8006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | 738 | 846-R8006KND3TL1CT-ND | Fr. 3.69000 | Simile |
| SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 1’927 | SPD04N60C3ATMA1CT-ND | Fr. 2.17000 | Simile |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.82429 | Fr. 2’060.72 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.82429 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.89106 |
