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Canale N 800 V 7 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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STD9N80K5

Codice DigiKey
STD9N80K5-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
STD9N80K5
Descrizione
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 7 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STD9N80K5 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
900mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
340 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.68038Fr. 1’700.95
5’000Fr. 0.67508Fr. 3’375.40
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.68038
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.73549