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R6020ENZ1C9 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
R6020ENZ1C9 | |
|---|---|
Codice DigiKey | R6020ENZ1C9-ND |
Produttore | |
Codice produttore | R6020ENZ1C9 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20 A (Tc) 120W (Tc) Foro passante TO-247 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | R6020ENZ1C9 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 196mohm a 9,5A, 10V |
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Sostituti (12)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6020ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | 550 | 846-R6020ENZ4C13-ND | Fr. 5.06000 | Diretto |
| R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor | 46 | 846-R6020ENZC17-ND | Fr. 5.31000 | Simile |
| APT34M60B | Microchip Technology | 0 | APT34M60B-ND | Fr. 8.94300 | Simile |
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | 227 | IPW65R190C7XKSA1-ND | Fr. 4.24000 | Simile |
| IXFH36N60P | IXYS | 510 | IXFH36N60P-ND | Fr. 12.41000 | Simile |
Obsoleto
