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ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

Codice DigiKey
SCT2120AFC-ND
Produttore
Codice produttore
SCT2120AFC
Descrizione
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 29 A (Tc) 165W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
156mohm a 10A, 18V
Vgs(th) max a Id
4V a 3,3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1200 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
165W (Tc)
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220AB
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