STB21NM50N STMicroelectronics | Prodotti a semiconduttore discreti

STB21NM50N è obsoleto e non è più in produzione.

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STB21NM50N
Codice DigiKey	497-5783-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB21NM50N
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 18 A (Tc) 140W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	18 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	190mohm a 9A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1950 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	140W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	STB21N