STB35NF10T4 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Simile


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 2’754
Prezzo unitario : Fr. 2.39000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 1’753
Prezzo unitario : Fr. 2.17000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 262
Prezzo unitario : Fr. 2.53000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 82
Prezzo unitario : Fr. 3.74000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 8’439
Prezzo unitario : Fr. 1.06000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 1’814
Prezzo unitario : Fr. 2.23000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 7’237
Prezzo unitario : Fr. 1.92000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 1’389
Prezzo unitario : Fr. 2.02000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 1’872
Prezzo unitario : Fr. 1.48000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 1’200
Prezzo unitario : Fr. 0.89000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 1’696
Prezzo unitario : Fr. 1.35000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 8’927
Prezzo unitario : Fr. 1.52000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 6’079
Prezzo unitario : Fr. 2.90000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 4’911
Prezzo unitario : Fr. 1.14000
Scheda tecnica
D²PAK
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
D²PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB35NF10T4

Codice DigiKey
497-7947-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
STB35NF10T4
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 40 A (Tc) 115W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB35NF10T4 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
35mohm a 17,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1550 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
115W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.