STD70N6F3 STMicroelectronics | FET, MOSFET singoli

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STD70N6F3
Codice DigiKey	497-12240-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-12240-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD70N6F3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 70 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD70N6F3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie STripFET™ III	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2200 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STD70
RDSon (max) a Id, Vgs 10,5mohm a 35 A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (14)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STD80N6F7	STMicroelectronics	0	STD80N6F7-ND	Fr. 0.28324	Consigliato dal produttore
DMTH6009LK3-13	Diodes Incorporated	0	DMTH6009LK3-13DICT-ND	Fr. 1.45000	Simile
FDD10AN06A0	onsemi	3’062	FDD10AN06A0CT-ND	Fr. 2.29000	Simile
FDD13AN06A0	onsemi	1’638	FDD13AN06A0CT-ND	Fr. 2.12000	Simile
FDD13AN06A0-F085	onsemi	1’400	FDD13AN06A0-F085CT-ND	Fr. 1.80000	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.34577

STD70N6F3