
STF9N60M2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-STF9N60M2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | STF9N60M2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 5,5 A (Tc) 20W (Tc) Foro passante TO-220FP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STF9N60M2 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 320 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-220FP |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 780mohm a 3A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDPF12N60NZ | onsemi | 930 | 488-FDPF12N60NZ-ND | Fr. 2.51000 | Simile |
| IRFIB6N60APBF | Vishay Siliconix | 755 | IRFIB6N60APBF-ND | Fr. 4.24000 | Simile |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK8A65WS5X-ND | Fr. 2.10000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.64000 | Fr. 1.64 |
| 10 | Fr. 1.05100 | Fr. 10.51 |
| 100 | Fr. 0.70920 | Fr. 70.92 |
| 500 | Fr. 0.56296 | Fr. 281.48 |
| 1’000 | Fr. 0.51590 | Fr. 515.90 |
| 2’000 | Fr. 0.47633 | Fr. 952.66 |
| 6’000 | Fr. 0.42613 | Fr. 2’556.78 |
| 10’000 | Fr. 0.40710 | Fr. 4’071.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.64000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.77284 |




