
SI2325DS-T1-E3 | |
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Codice DigiKey | SI2325DS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2325DS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2325DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2325DS-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2325DS-T1-E3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,2ohm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 510 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.12000 | Fr. 1.12 |
10 | Fr. 0.58700 | Fr. 5.87 |
100 | Fr. 0.48220 | Fr. 48.22 |
500 | Fr. 0.40438 | Fr. 202.19 |
1’000 | Fr. 0.36624 | Fr. 366.24 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.32172 | Fr. 965.16 |
6’000 | Fr. 0.30058 | Fr. 1’803.48 |
9’000 | Fr. 0.29000 | Fr. 2’610.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.12000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.21072 |