
SI7852DP-T1-E3 | |
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Codice DigiKey | SI7852DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7852DP-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7852DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7852DP-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 7,6 A (Ta) 1,9W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7852DP-T1-E3 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 16,5mohm a 10A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA (min) |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 1,9W (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS1G300GNTB | Rohm Semiconductor | 16’101 | RS1G300GNTBCT-ND | Fr. 2.37000 | Simile |
| RS1L120GNTB | Rohm Semiconductor | 6 | RS1L120GNTBCT-ND | Fr. 1.93000 | Simile |
| RS3L045GNGZETB | Rohm Semiconductor | 833 | RS3L045GNGZETBCT-ND | Fr. 0.97000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.28000 | Fr. 3.28 |
| 10 | Fr. 2.15300 | Fr. 21.53 |
| 100 | Fr. 1.51180 | Fr. 151.18 |
| 500 | Fr. 1.26338 | Fr. 631.69 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 1.03869 | Fr. 3’116.07 |
| 6’000 | Fr. 1.03218 | Fr. 6’193.08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.28000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.54568 |




