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8-SOIC
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SI4947ADY-T1-E3

Codice DigiKey
SI4947ADY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI4947ADY-T1-E3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 3A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 3A 1,2W A montaggio superficiale 8-SOIC
Modelli EDA/CAD
SI4947ADY-T1-E3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3A
RDSon (max) a Id, Vgs
80mohm a 3,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Potenza - Max
1,2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
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