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Canale N 30 V 24 A (Tc) 5W (Ta), 56W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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SI7374DP-T1-E3

Codice DigiKey
SI7374DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SI7374DP-T1-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore
38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 24 A (Tc) 5W (Ta), 56W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,8V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
122 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5500 pF @ 15 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 56W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
5,5mohm a 23,8A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (9)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AON6576Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AON6576-NDFr. 0.19315Simile
CSD17552Q5ATexas Instruments2’455296-35580-1-NDFr. 1.39000Simile
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CSD17577Q5ATTexas Instruments2’471296-38337-1-NDFr. 1.71000Simile
RS1E150GNTBRohm Semiconductor2’225RS1E150GNTBCT-NDFr. 0.74000Simile
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 1.36761Fr. 4’102.83
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.36761
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.47839