SI7949DP-T1-GE3
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SI7998DP-T1-GE3

Codice DigiKey
SI7998DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI7998DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI7998DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI7998DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 25A, 30A 22W, 40W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI7998DP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
25A, 30A
RDSon (max) a Id, Vgs
9,3mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
26nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1100pF a 15V
Potenza - Max
22W, 40W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 5’999
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.71000Fr. 1.71
10Fr. 1.09400Fr. 10.94
100Fr. 0.74110Fr. 74.11
500Fr. 0.59030Fr. 295.15
1’000Fr. 0.56304Fr. 563.04
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.46000Fr. 1’380.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.84851