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SI9945BDY-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SI9945BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI9945BDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI9945BDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI9945BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI9945BDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 5,3A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 5,3A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 58mohm a 4,3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 665pF a 15V | |
Potenza - Max | 3,1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
Obsoleto
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