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SIHF12N60E-GE3
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SIHF12N60E-E3

Codice DigiKey
SIHF12N60E-E3-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHF12N60E-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Foro passante TO-220 Full Pack
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
937 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
33W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220 Full Pack
Contenitore/involucro
TO-220-3 Full Pack
Codice componente base
SIHF12
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Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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100Fr. 1.28140Fr. 128.14
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1’000Fr. 0.96787Fr. 967.87
2’000Fr. 0.91000Fr. 1’820.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.82000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.04842