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SIR610DP-T1-RE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIR610DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR610DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR610DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR610DP-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 42 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 35,4 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR610DP-T1-RE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1380 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 200 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 31,9mohm a 10A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.18000 | Fr. 2.18 |
| 10 | Fr. 1.40600 | Fr. 14.06 |
| 100 | Fr. 0.96390 | Fr. 96.39 |
| 500 | Fr. 0.77480 | Fr. 387.40 |
| 1’000 | Fr. 0.72406 | Fr. 724.06 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.63692 | Fr. 1’910.76 |
| 6’000 | Fr. 0.59813 | Fr. 3’588.78 |
| 9’000 | Fr. 0.59155 | Fr. 5’323.95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.18000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.35658 |








