SIR401DP-T1-GE3
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SIRA00DP-T1-GE3

Codice DigiKey
SIRA00DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIRA00DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIRA00DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SIRA00DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIRA00DP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
11700 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6,25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

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In magazzino: 2’884
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.33000Fr. 2.33
10Fr. 1.51000Fr. 15.10
100Fr. 1.04160Fr. 104.16
500Fr. 0.86194Fr. 430.97
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.70420Fr. 2’112.60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.33000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.51873