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SIRA60DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIRA60DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIRA60DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIRA60DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA60DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 14 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 100 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIRA60DP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 0,94mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 60 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 7650 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.62000 | Fr. 1.62 |
| 10 | Fr. 1.03500 | Fr. 10.35 |
| 100 | Fr. 0.69990 | Fr. 69.99 |
| 500 | Fr. 0.55620 | Fr. 278.10 |
| 1’000 | Fr. 0.52387 | Fr. 523.87 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.45130 | Fr. 1’353.90 |
| 6’000 | Fr. 0.42800 | Fr. 2’568.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.75122 |
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