Name: SIS990DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS990DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2972 CHF
Availability: InStock

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SIS990DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIS990DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 12,1A 25W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIS990DN-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8nC a 10V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 250pF a 50V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 25W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8 doppio
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 doppio
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12,1A	Codice componente base SIS990
RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 8A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)