Name: SQJ457EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ457EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.35125 CHF
Availability: InStock

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SQJ457EP-T1_GE3
cms-digikey-product-number	SQJ457EP-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQJ457EP-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQJ457EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJ457EP-T1_GE3
cms-description	MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
cms-standard-lead-time	23 settimane
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canale P 60 V 36 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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cms-category Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3400 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
RDSon (max) a Id, Vgs 25mohm a 10A, 10V	Codice componente base SQJ457
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA